Colloquium

  • Next generation of nonvolatile storage class memory devices: Introduction of PRAM, ReRAM and new HfO2 based FeRAM

  • Speaker : 유향근(Hyang Keun Yoo)
    Affiliation : SK Hynix
    Date : October 16, 2019 4:00 PM
    Place : Bldg.110 Rm. N103
    Contact : chsohn@unist.ac.kr
    Host : 손창희(Changhee Sohn)
  • Abstract

  • ICT/AI 동향 변화에 따른 Big Data 처리가 중요해 지면서, 현재 컴퓨터 hierarchy가 변화하고 있는 방향에 대해서 소개하겠습니다. 소자적으로는 DRAM/NAND의 간단한 메커니즘 및 최근 기술적 어려움에 대해서 소개하고자 합니다. 그리고 최근에 많이 부각되고 있는 Storage Class Memory에 대해서 소개하면서, 응용 가능성이 높은 새로운 소자 candidate로 Phase Change Memory, Resistance Memory, HfO2 강유전체 기반의 Memory에 대해서 소개하고 비교했습니다. 마지막으로, 향후 미래 동향에 대해서 소개하면서 새로운 재료 개발이 앞으로 미래 산업에서 큰 역할을 할 것이며 어떤 방향으로 개발을 해야 하는지 논의하면서 발표를 마무리 하고자 합니다..